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J-GLOBAL ID:200903030476954110

軟磁性多層めつき膜の製造方法および軟磁性多層めつき膜ならびに磁気ヘツド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991203819
Publication number (International publication number):1993029172
Application date: Jul. 18, 1991
Publication date: Feb. 05, 1993
Summary:
【要約】【構成】 実質的にCo、FeおよびM(ただし、Mは、Pd、Cu、Pt、Au、Ag、Ir、RhまたはRuである。)からなる軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜よりもMの含有量が多い中間薄膜とが交互に積層された構成の軟磁性多層めっき膜を製造するに際し、CoイオンとFeイオンの合計含有量=0.05〜10mol/l 、Coイオン/(Coイオン+Feイオン)=0.4〜0.8(モル比)、Mイオンの含有量=CoイオンとFeイオンの合計重量の10〜1000ppm であるめっき浴を用いる。【効果】 高飽和磁束密度、低保磁力、高透磁率を有する軟磁性多層めっき膜を、設備コストが低く量産性が高い液相めっき法により製造することができる。特に、MとしてPdを用いれば、磁歪を極めて低くすることができる。
Claim (excerpt):
実質的にCo、FeおよびM(ただし、Mは、Pd、Cu、Pt、Au、Ag、Ir、RhまたはRuである。)からなる軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜よりもMの含有量が多い中間薄膜とが交互に積層された構成の軟磁性多層めっき膜を製造する方法であって、前記軟磁性薄膜および前記中間薄膜を形成する際に用いるめっき浴が、CoイオンとFeイオンの合計含有量=0.05〜10mol/l 、Coイオン/(Coイオン+Feイオン)=0.4〜0.8(モル比)、Mイオンの含有量=CoイオンとFeイオンの合計重量の10〜1000ppmであることを特徴とする軟磁性多層めっき膜の製造方法。
IPC (6):
H01F 41/26 ,  C25D 7/00 ,  G11B 5/147 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  C23C 14/46

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