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J-GLOBAL ID：200903030483968606

光学素子の研磨方法

Inventor： 今村 桂
Applicant, Patent owner： オリンパス株式会社
Agent (1)： 奈良 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003160829
Publication number (International publication number)：2004358618
Application date： Jun. 05, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】研磨傷の低減を行うことができ、後工程の洗浄工程での潜傷を低減させる研磨を可能とする。【解決手段】水を電気分解して得られるイオン水によって希釈された研磨液を用いて光学素子の研磨を行う。この場合、pH10.3以上のイオン水を用いて研磨を行う。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

水を電気分解して得られるイオン水によって希釈された研磨液を用いて光学素子の研磨を行うことを特徴とする光学素子の研磨方法。

IPC (3)：

B24B1/00 ,  B24B13/00 ,  B24B37/00

FI (3)：

B24B1/00 Z ,  B24B13/00 Z ,  B24B37/00 H

F-Term (8)：

3C049AA07 ,  3C049AC04 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03