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J-GLOBAL ID：200903030496726695

半導体製造方法

Inventor： 小南 昌紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992132541
Publication number (International publication number)：1993326463
Application date： May. 25, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 三フッ化メタンと六フッ化硫黄の混合ガスを用いてドライエッチングを行う場合、後処理を行うことにより電気的特性の良好かつ安定した素子を供給することを目的とする。【構成】 半絶縁性半導体基板1上に金属膜3を堆積して、さらに耐エッチングマスクによりパターンを作成して、三フッ化メタンと六フッ化硫黄の混合ガスを用いてドライエッチングを行った後、酸素プラズマ処理、塩酸溶液処理あるいはその複合処理を行うことで、その処理により素子の性能に悪影響を与える事なく、電気的特性の良好かつ安定した素子を供給することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板の表面上に堆積した金属膜を、三フッ化メタン及び六フッ化硫黄の混合エッチングガスを用るドライエッチングで金属パターンを形成し、前記基板を大気に晒すことなく、酵素プラズマにより基板表面を処理を行うことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-201529
  
• 特開昭60-098626
  
• 特開平2-148728