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J-GLOBAL ID：200903030496948914

ボロンドープシリコンウェーハの評価方法

Inventor： 大槻 剛
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001247659
Publication number (International publication number)：2003059992
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるFe汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。【解決手段】ボロンドープシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成し、該MOSキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記MOSキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。

Claim (excerpt)：

ボロンドープシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成し、該MOSキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記MOSキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価することを特徴とするボロンドープシリコンウェーハの評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/416 ,  G01N 33/00

FI (4)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Q ,  G01N 33/00 A ,  G01N 27/46 U

F-Term (6)：

4M106AA01 ,  4M106AB01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA14 ,  4M106CB01