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J-GLOBAL ID：200903030502947518
ハードトレンチマスクの除去方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994161714
Publication number (International publication number)：1995142443
Application date： Jun. 09, 1994
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 熱酸化物のアンダーカットが低減されかつエッチング時間に対する依存度の極めて低いハードトレンチマスク除去方法を提供する。【構成】 リンケイ酸ガラス頂部層および下層熱酸化物層を含むハードトレンチマスクを使用して半導体ウェーハ14上にトレンチを形成した後で、熱酸化物層を実質的にエッチングすることなくリンケイ酸ガラス層を除去することができる。HF/H2O蒸気でエッチングを行う前にウェーハ温度が少くとも40°Cまで高められる。
Claim (excerpt)：
ウェハ上にトレンチを形成した後でハードトレンチマスクを除去する方法であって、該方法は、ウェーハの温度を所定の設定値まで高め、HF/H2O蒸気を発生し、前記発生されたHF/H2O蒸気にウェーハを曝す、ステップからなるハードトレンチマスク除去方法。
IPC (2)：
H01L 21/306
, H01L 21/316
