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J-GLOBAL ID：200903030534482371

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山本 和彦 ,  堀井 貞義 ,  佐野 敦 ,  石川 大 ,  中山 雅則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  株式会社日立国際電気
Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006250550
Publication number (International publication number)：2008072001
Application date： Sep. 15, 2006
Publication date： Mar. 27, 2008
Summary：

【課題】シリコン酸化膜換算膜厚が薄く且つリーク電流密度等の電気的特性に優れたMOS型半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、半導体基板11と、半導体基板11の上に形成され、少なくとも一層が窒素を含み、誘電率が互いに異なる複数の高誘電体膜が積層されてなるゲート絶縁膜15aと、ゲート絶縁膜15aの上に形成されたフルシリサイドゲート電極24とを備えている。複数の高誘電体膜のうちゲート電極側の高誘電体膜32aは、基板側の高誘電体膜31aと比べて窒素の組成が高い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成され、少なくとも一層が窒素を含み、誘電率が互いに異なる複数の高誘電体膜が積層されてなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたフルシリサイドゲート電極とを備え、 前記複数の高誘電体膜のうち前記ゲート電極側の高誘電体膜は、前記基板側の高誘電体膜と比べて窒素の組成が高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (3)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G

F-Term (59)：

4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-034940   Applicant：ソニー株式会社