シリレーションを利用したパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289414
Publication number (International publication number)：1995077809
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】多層フォトレジスト膜工程による解像度の増加効果を保ちながらシリレーションされたフォトレジスト膜を使用し工程を単純化させたパターン形成方法を提供する。【構成】ウェハー20に第1フォトレジスト層21を形成し、その表面の一部をシリレーションさせシリレーション層23を形成する。次いで、シリレーション層上に第2フォトレジスト層24を形成し、所定のパターンを有するフォトマスク25を通じて前記第2フォトレジスト層を露光し現像し、第2フォトレジストパターンを形成する。前記第2フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして前記シリレーション層23をエッチバックしてシリレーション層パターンを形成し、前記シリレーションパターンを酸化させた後、これを蝕刻マスクにして前記第1フォトレジスト層21を蝕刻し第1フォトレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に第1フォトレジスト層を形成する段階と、シリレーション層を形成するために前記第1フォトレジスト層の表面部をシリレーションする段階と、前記シリレーション層上に第2フォトレジスト層を形成する段階と、所定のパターンを有するフォトマスクを使用し前記第2フォトレジスト層を露光し現像し、第2フォトレジストパターンを形成する段階と、前記シリレーション層パターンを形成するために前記第2フォトレジストパターンを取り除きながら、前記第2フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして前記シリレーション層をエッチバックする段階と、前記シリレーションパターンを酸化させる段階と、前記第1フォトレジストパターンを形成するために前記酸化されたシリレーションパターンを蝕刻マスクにして前記第1フォトレジスト層を蝕刻する段階を具備してなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/26 511 , H01L 21/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭60-063534
特開平3-126036
特開昭61-231549

Show all

Return to Previous Page