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J-GLOBAL ID：200903030547922435
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200884
Publication number (International publication number)：1994053511
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】交流使用時に必要な逆並列ダイオードを別チップで供給する必要がない絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造を提供するにある。【構成】アノード電極A側のn型基板は逆特性の不純物、つまりp型の不純物をメッシュ状に拡散させ、この拡散によりチップ内に等価的にダイオードDを形成している。
Claim (excerpt)：
基板の裏面に基板と逆特性の不純物をメッシュ状に拡散させてカソードとアノードとの間に逆並列的に接続される等価的なダイオードを形成して成ることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造。
FI (2)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 K
