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J-GLOBAL ID：200903030551566929

電子ビーム励起プラズマエツチング方法

Inventor： 廣田 高敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227168
Publication number (International publication number)：1993067589
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Siウエーハの電子ビーム励起プラズマエッチング方法に関し、エッチングレートを大きくし、しかもSi表面のダメージが殆んどないエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 エッチングガスとしてCl2 ガスまたはCl2 とSF6 の混合ガスを用いてシリコンを電子ビーム励起プラズマエッチングする方法において、先ず高いイオン電流密度で高速エッチングを行なった後、低いイオン電流密度で低速エッチングを施す電子ビーム励起プラズマエッチング方法として構成する。

Claim (excerpt)：

エッチングガスとしてCl2 ガスまたはCl2 とSF6 の混合ガスを用いてシリコンを電子ビーム励起プラズマエッチングする方法において、先ず高いイオン電流密度で高速エッチングを行なった後、低いイオン電流密度で低速エッチングを施すことを特徴とする電子ビーム励起プラズマエッチング方法。