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J-GLOBAL ID：200903030552498536
レーザーアニール処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
有近 紳志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995258852
Publication number (International publication number)：1997102467
Application date： Oct. 05, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 真空引きする必要がなく,処理のスループットを向上することができるレーザーアニール処理装置を提供する。【解決手段】 窒素ガス供給管13を通じてスイングノズル12に窒素ガスを供給し、スイングノズル12の先端からレーザー照射部分Pへ向けて噴出し、レーザー照射部分P近傍のみを窒素雰囲気とする。【効果】 真空引きしなくても、アニール中に空気中の物質が被処理体Mに作用するのを防止できるので、処理のスループットを向上することができる。
Claim (excerpt)：
被処理体(M)にレーザー光(R)を照射するレーザー照射手段(6)と、小面積のレーザー照射部分(P)で前記被処理体(M)の大面積の領域を走査するように前記被処理体(M)を乗せて移動する移動載置台(2)とを備えたレーザーアニール処理装置において、窒素ガスを噴射して前記レーザー照射部分(P)近傍のみを窒素雰囲気とする窒素ガス噴射手段(12,22)と、前記窒素ガスを加熱する加熱手段(14)と、前記被処理体(M)を前記移動載置台(2)上に載置する時および前記移動載置台(2)上から取り出す時に前記窒素ガス噴射手段(12,22)を前記移動載置台(2)から離すと共に前記レーザー照射部分(P)にレーザー光(R)を照射する時に前記窒素ガス噴射手段(12,22)を前記移動載置台(2)に近づける駆動手段(15,25)とを具備することを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。
IPC (2)：
H01L 21/268
, H01L 21/324
H01L 21/268 Z
, H01L 21/324 D
