Pat

J-GLOBAL ID：200903030556909735

シリコン結晶成長方法

Inventor： 柿本 浩一 ,  李 京雨 ,  日比谷 孟俊 ,  向井 楠宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995064065
Publication number (International publication number)：1996259380
Application date： Mar. 23, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン結晶育成中に融液中の酸素濃度をその場で測定し、結晶成長条件に負帰還をかけることにより、所望の酸素濃度を含むシリコン結晶を育成する。【構成】 チョクラルスキー法もしくはフローティングゾーン法によるシリコン単結晶の育成において、固体電界質を用いた酸素センサーを用いて融液中の酸素濃度および、その時間的変動を検出し、これによりるつぼ回転数等の結晶成長操作条件に負帰還制御して、酸素濃度の均一なシリコン結晶を育成する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、固体電界質を用いた酸素センサーによりシリコン融液中の酸素濃度および、前記酸素濃度の時間的変動を検出し、前記酸素濃度と前記時間的変動によりるつぼ回転数を制御して、前記結晶中の酸素濃度を均一にすることを特徴とするシリコン結晶成長方法。

IPC (7)：

C30B 15/22 ,  C30B 13/30 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  G01N 27/26 361 ,  G01N 27/411 ,  H01L 21/208

FI (7)：

C30B 15/22 ,  C30B 13/30 ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 J ,  G01N 27/26 361 G ,  H01L 21/208 P ,  G01N 27/58 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶育成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-045288   Applicant：住友シチックス株式会社, 住友シチックス株式会社