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J-GLOBAL ID:200903030558113890

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006114084
Publication number (International publication number):2007114728
Application date: Apr. 18, 2006
Publication date: May. 10, 2007
Summary:
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】一般式(a)及び(b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するするポジ型レジスト材料。【選択図】なし
Claim (excerpt):
少なくとも下記一般式(a)及び(b)
IPC (3):
G03F 7/039 ,  C08F 220/18 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L21/30 502R
F-Term (37):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07R ,  4J100BC07S ,  4J100BC49P ,  4J100BC52Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
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