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J-GLOBAL ID：200903030563773075

半導体装置の製造方法

Inventor： 三重野 文健
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175847
Publication number (International publication number)：1994021044
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、TEOSとO3 とを使用してなすCVD法を使用してシリコン上のみならず絶縁物上にも緻密な膜質の絶縁物膜を形成しうる方法を提供することを目的とする。【構成】 表面にシリコンと絶縁物(SiO2 、PSG、BPSG、Si3 N4等)とが混在する基板上に、末端に親水性官能基を有するポリシランをラングミュア・ブロジェット法を使用して接触させ、基板の表面にポリシランの親水性官能基を結合させてポリシランの薄膜を形成し、ポリシランの薄膜の形成された基板に熱処理または光照射を施してポリシランの親水性官能基を分解除去した後、TEOSとO3 との混合ガスを使用してなすCVD法を使用して基板上に平坦な絶縁物膜を形成するようにする。

Claim (excerpt)：

表面にシリコンと絶縁物(SiO2 、PSG、BPSG、Si3 N4 等)とが混在する基板上に、末端に親水性官能基を有するポリシランをラングミュア・ブロジェット法を使用して接触させ、前記基板の表面に前記ポリシランの親水性官能基を結合させてポリシランの薄膜を形成し、該ポリシランの薄膜の形成された前記基板に熱処理または光照射を施して前記ポリシランの親水性官能基を分解除去した後、テトラエチルオルソシリケイト(TEOS)とオゾン(O3 )との混合ガスを使用してなす化学気相堆積法(CVD法)を使用して前記基板上に平坦な絶縁物膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。