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J-GLOBAL ID：200903030566543488

光学電子メモリ方式

Inventor： ニール クリストファー バード
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168088
Publication number (International publication number)：1995175887
Application date： Jul. 20, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光学電子メモリ方式のデータ蓄積量を増大させ、読出しを便利にするために、【構成】 光学的に符号化したデータをメモリ位置の行群に蓄積するメモリ素子(14)、例えば、光学式データカードおよび感光素子列(12)を備えて、メモリ位置の照明に応じ、蓄積データを読出し得る読出し手段 (10, 12) を備えた光学電子メモリ方式において、異なるデータ値を表わす色に応じたメモリ位置にデータを蓄積するとともに、順次に異なる色の読取り光によりメモリ位置をアドレスして、データ蓄積容量の増大が得られるようにする。メモリ位置は反射性をもしくは透過性にすることができ、読取り手段は感光素子の線形もしくは2次元の配列とすることができる。

Claim (excerpt)：

光学的に読取り可能のメモリ位置にデータを蓄積するメモリ素子および感光素子列を備えて前記メモリ位置の行群を読取る電気光学読取り手段を備えた光学電子メモリ方式において、異なるデータに伴う色をそれぞれ異なる色により表わすようにしてデータを前記メモリ素子のメモリ位置に蓄積するとともに、前記メモリ位置を異なる色の読取り光により順次に検索する手段を前記読取り手段に設けたことを特徴とする光学電子メモリ方式。

IPC (2)：

G06K 7/12 ,  H04N 5/907