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J-GLOBAL ID：200903030569429600

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993318275
Publication number (International publication number)：1995176826
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素子を実現可能とする。【構成】 n型GaN層上に導波路として少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるnクラッド層、n型あるいはp型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層、p型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるpクラッド層を順にストライプ形状に形成したレーザ素子で、前記導波路のストライプ幅を50μm以下とする。

Claim (excerpt)：

n型GaN層の表面に導波路として少なくともn型窒化ガリウ系化合物半導体よりなるnクラッド層と、n型あるいはp型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるpクラッド層とが順にストライプ形状で積層されて成るダブルヘテロ構造のレーザ素子であり、前記導波路のストライプ幅が50μm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00