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J-GLOBAL ID:200903030571213925

エッチングを用いた加工方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志村 浩
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995210120
Publication number (International publication number):1997041161
Application date: Jul. 26, 1995
Publication date: Feb. 10, 1997
Summary:
【要約】【課題】 量産に適し、微細構造を得ることができる加工方法を提供する。【解決手段】 基板1上に組成変調層を形成し、所定のパターンをもったレジスト層3aを形成する。レジスト層3aで覆われていない組成変調層の一部分にエッチング液を作用させてエッチングを行うと、組成変調層2aが得られる。組成変調層として、クロムと銅とを含み、上面がクロム100%,銅0%、下面がクロム0%,銅100%と、厚み方向に組成比が変化(上面ヘゆくほどクロムが支配的、下面へゆくほど銅が支配的)する層を用い、銅に対するエッチング速度がクロムに対するエッチング速度よりも速いエッチング液を用いれば、組成変調層2aの端面をテーパー状に加工することができる。
Claim (excerpt):
所定のエッチャントに対するエッチング速度が互いに異なる第1の材料および第2の材料を用意し、一方の面へゆくほど第1の材料が支配的になり、他方の面へゆくほど第2の材料が支配的になるように、第1の材料と第2の材料との組成比が厚み方向に変化する組成変調層を、基板もしくは所定層上に形成し、前記組成変調層の一部が露出するように、前記組成変調層の上面に所定のパターンをもったレジスト層を形成し、前記組成変調層の露出部分から前記エッチャントを作用させてエッチングを行うことにより前記組成変調層に対する加工を行うことを特徴とするエッチングを用いた加工方法。
IPC (3):
C23F 1/04 ,  C23F 1/44 ,  H01L 21/3065
FI (3):
C23F 1/04 ,  C23F 1/44 ,  H01L 21/302 J

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