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J-GLOBAL ID：200903030585098827
THz電磁波発生制御方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048318
Publication number (International publication number)：1999251660
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高出力、且つ高輝度なTHz電磁波を容易に発生させ、その発生も制御することのできる、新しいTHz電磁波発生制御方法を提供する。【解決手段】 磁性半導体(1)に超短パルスレーザ光(2)を照射するとともに、外場を印加することにより、磁性半導体(1)からTHz電磁波を発生させ、その発生を制御する。
Claim (excerpt)：
磁性半導体に超短パルスレーザ光を照射するとともに、外場を印加することにより、磁性半導体からTHz電磁波を発生させ、その発生を制御することを特徴とするTHz電磁波発生制御方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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