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J-GLOBAL ID：200903030585589162

半導体装置

Inventor： 北 明夫
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342696
Publication number (International publication number)：1994196553
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 素子分離構造を有する半導体装置において、フィールドプレート電極のエッジ形状を滑らかにすることにより、後工程における段切れやパターニング不良が発生することがなく、しかも微小な分離間隔になっても十分な分離能力を有する半導体装置を提供する。【構成】 素子分離構造を有する半導体装置において、半導体基板1と、この半導体基板1上に形成される薄い酸化膜2と、この酸化膜2上に形成され、テーパエッジを有するとともに、一定電位に固定されるフィールドプレート電極3を具備する。

Claim (excerpt)：

素子分離構造を有する半導体装置において、(a)半導体基板と、(b)該半導体基板上に形成された薄い絶縁膜と、(c)該絶縁膜上に形成され、テーパエッジを有するとともに、一定電位に固定されるフィールドプレート電極を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/44