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J-GLOBAL ID：200903030608885783

記憶装置

Inventor： 太田邦一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991218767
Publication number (International publication number)：1993055503
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 一電子を記憶の単位とする記憶素子を提供する。【構成】 微小な接合面積のトンネルキャパシターJ1 とJ2 (その容量をおのおのC1 、C2 とする)と抵抗Rによって構成された素子はe2 /C1 、e2 /C2 >>kB T(eは電子の電荷、kB はボルツマン定理、Tは絶対温度)の時、一電子単位で三端子増幅器(トランジスタ)として動作することが知られている。このトランジスタとキャパシタCを接続する。バイアスUとVをタイミング良くコントロールすることによってキャパシタCに一電子単位で充電、放電を制御でき、しかもキャパシタの電荷を保持状態に保つこともでき、高密度メモリを実現できる。

Claim (excerpt)：

微小な面積と容量を有するトンネル接合を二個直列に接続し、その接続点に抵抗素子の一端を接続して三端素子となし、一方のトンネル接合にキャパシタの一端を接続し、このキャパシタの他端を接地し、もう一方のトンネル接合の前記キャパシタと反対側の端子を読み書き用電極とし、前記抵抗素子の他端を制御電極とすることを特徴とする記憶装置。