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J-GLOBAL ID：200903030614459141

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  渡辺 淳 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001346891
Publication number (International publication number)：2002220419
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>〜R<SP>6</SP>の中に少なくとも一個フッ素原子を含む。R<SP>7</SP>は酸不安定基、0<d+e<5、0<g+h≦5である。0<(a+b)/(a+b+c)<1、0<c/(a+b+c)<0.8。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であるが、R<SP>4</SP>〜R<SP>6</SP>の中に少なくとも一個以上のフッ素原子を含む。R<SP>7</SP>は酸不安定基であり、0≦d<5、0≦e<5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h≦5である。また、0≦a/(a+b+c)<1、0≦b/(a+b+c)<1、0<(a+b)/(a+b+c)<1であり、0<c/(a+b+c)<0.8である。)

IPC (5)：

C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (47)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AE38Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA07Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB07R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC22Q ,  4J100BC23Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC60Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA61 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346933   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-017972   Applicant：信越化学工業株式会社