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J-GLOBAL ID：200903030615992420

プラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 立間 徹 ,  田 陽
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005260231
Publication number (International publication number)：2007073794
Application date： Sep. 08, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 簡易な構造で安定に動作し、製造コストも低いプラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子は、支持基板10の上に正極集電体12が形成され、その上には、光を照射されてプラズモン共鳴を起こす金、銀、白金、銅またはパラジウム等の金属で構成された電荷発生層14が形成されている。この電荷発生層14は、プラズモン共鳴を起こしやすくするために、突起部を有する。また、電荷発生層14の上には、電荷発生層14で発生した電荷を取り出す半導体層16が形成されている。半導体層16には、例えば酸化チタン等のn型半導体を使用することができる。半導体層16の上には、ITO等の透明電極18が形成され、透明電極18の上には、ガラス、プラスチック等の支持基板20が形成される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

突起部を有し、光を照射されてプラズモン共鳴を起こす金属で構成された電荷発生層と、 前記電荷発生層で発生した電荷を取り出す半導体層と、 を備えることを特徴とするプラズモン共鳴型光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  C23C 28/00

FI (2)：

H01L31/10 Z ,  C23C28/00 A

F-Term (32)：

4K044AA01 ,  4K044AA06 ,  4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044AB10 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA12 ,  4K044BA18 ,  4K044BA21 ,  4K044BB06 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  4K044CA53 ,  5F049MA20 ,  5F049MB01 ,  5F049NA18 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049PA20 ,  5F053AA05 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053LL05 ,  5F053RR04 ,  5F053RR13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 色素増感光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-180888   Applicant：日本化薬株式会社

Cited by examiner (1)

• 光電デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-525553   Applicant：キネティックリミテッド