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J-GLOBAL ID：200903030618774009

レーザアニール装置

Inventor： 武久 究 ,  小川 和宏 ,  桑原 皓二 ,  矢野 眞
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992030377
Publication number (International publication number)：1993226790
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】CWレーザ光によるレーザアニールにおいて、レーザ光のスキャン回数を減らして、アニールの時間を短縮する。【構成】レーザ装置1a,1b,1c,1dから取り出されるCWで紫外域のレーザ光2a,2b,2c,2dが取り出される。レーザ光2a,2bと、レーザ光2c,2dとは、偏光方向が直交し、偏光ビームスプリッタ6により、ビームが重なる様に結合され、シリンドリカルレンズ7を通って、基板10上に集光される。【効果】レーザ光が照射される異なる部分の間の境界における特性の悪化が無く、また、基板全面をアニールする場合でも、レーザ光のスキャン回数を大幅に減らすことができ、アニール時間が短縮できる。

Claim (excerpt)：

波長0.4 ミクロン以下の連続出力を発生する複数台のレーザ装置、前記レーザ装置から取り出される複数本のレーザビームを結合させる偏光ビームスプリッタおよびレーザ光を線状に集光する光学系を含むことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4)：

H01S 3/23 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01S 3/081