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J-GLOBAL ID:200903030636310850
ガス検出方法とその装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
塩入 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000021923
Publication number (International publication number):2001208711
Application date: Jan. 31, 2000
Publication date: Aug. 03, 2001
Summary:
【要約】【構成】 ヒータ兼用電極中に中心電極を埋設したガスセンサ2を周期的に温度変化させ、高温部での信号からCH4を検出し、低温部での信号からCOを検出し、低温部初期の信号からH2含有ガスを検出する。【効果】 CO/CH4検出用の装置と、CO/H2含有ガス検出用の装置とを、共通のプラットフォームで製造できる。
Claim (excerpt):
コイル状のヒータ兼用電極の内部に中心電極を配設して、これらの電極を金属酸化物半導体で埋設したガスセンサを用い、前記ヒータ兼用電極へのヒータ電力を周期的に変化させて、ガスを検出する方法において、ヒータ電力の周期的変化に対応するガスセンサの温度パターンでの、高温部の信号から可燃性ガスを検出し、高温部からやや温度低下した時点での信号でH2含有ガスを検出し、低温部の信号からCOを検出することを特徴とする、ガス検出方法。
FI (2):
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 D
F-Term (26):
2G046AA02
, 2G046AA05
, 2G046AA11
, 2G046AA19
, 2G046BA02
, 2G046BC03
, 2G046BE02
, 2G046CA09
, 2G046DA04
, 2G046DB05
, 2G046DB08
, 2G046DC02
, 2G046DC12
, 2G046DC14
, 2G046DC16
, 2G046DC17
, 2G046DC18
, 2G046DD01
, 2G046EA03
, 2G046EA09
, 2G046EA11
, 2G046EB06
, 2G046FB02
, 2G046FC01
, 2G046FE03
, 2G046FE39
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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半導体ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-306154
Applicant:エフアイエス株式会社
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半導体ガス検知素子によるガス検知方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-119633
Applicant:エフアイエス株式会社
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特開昭55-103453
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特開昭62-223662
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ガスセンサ及びガス検知方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-336674
Applicant:エフアイエス株式会社
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特開昭62-024135
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特開平1-311261
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Cited by examiner (4)