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J-GLOBAL ID：200903030663115768

半導体発光素子

Inventor： 北田 勝信
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041613
Publication number (International publication number)：1993243609
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板1上に、導電型の異なる少なくとも二層の半導体層3、4から成る島状部Iを設け、この島状部IにV字溝Gを形成し、このV字溝Gが光の取り出し部となるようにV字溝G以外の部分を電極7で被覆した。【効果】 島状部Iの半導体接合部の全体に亘って電流が流れ、発光強度が向上する。また、V字溝Gの長さを短くすると共に、V字溝Gの両側の島状部Iを大面積化することによって半導体接合部を大面積化することができ、発光強度を強めつつ高精細化することもできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、導電型の異なる少なくとも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部にV字溝を形成し、このV字溝が光の取り出し部となるようにV字溝以外の島状部を電極で被覆して成る半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-139786
  
• 特開昭63-228790