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J-GLOBAL ID：200903030665980040

半導体基板の分析方法

Inventor： 桃井 一隆 ,  本間 則秋
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999280199
Publication number (International publication number)：2001099766
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】半導体基板内部に存在する極微量の金属不純物を高感度で分析するための手段の提供。【解決手段】半導体基板をエッチング酸液によってエッチングする工程、前記エッチング酸液を前記半導体基板表面上で蒸発させる工程、前記半導体基板表面上の反応堆積物を処理する工程、および前記半導体基板表面上の前記反応堆積物に含まれる金属不純物の含量を分析する工程を経て、半導体基板内部の極微量の金属不純物を分析する。

Claim (excerpt)：

半導体基板をエッチング酸液によってエッチングする工程、前記エッチング酸液を前記半導体基板表面上で蒸発させる工程、前記半導体基板表面上の反応堆積物を処理する工程および、前記反応堆積物中に含まれる金属不純物の含量を分析する工程からなることを特徴とする半導体基板の分析方法。

IPC (5)：

G01N 1/32 ,  G01N 1/36 ,  G01N 1/28 ,  G01N 23/20 ,  G01N 33/00

FI (5)：

G01N 1/32 ,  G01N 23/20 ,  G01N 33/00 A ,  G01N 1/28 Z ,  G01N 1/28 X

F-Term (14)：

2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001CA01 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA17 ,  2G001NA20 ,  2G001NA21 ,  2G001PA07 ,  2G001RA02 ,  2G001RA03 ,  2G001RA04 ,  2G001RA20