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J-GLOBAL ID：200903030667672670

半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池

Inventor： 遠山 上 ,  中川 克己 ,  山下 敏裕
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344957
Publication number (International publication number)：1994196734
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、太陽光を有効に利用でき高い変換効率が得られ、しかも半導体層と金属層の直接の接触や欠陥箇所でのリーク電流が防止でき、信頼性が高く、さらには、安価である等とした薄膜半導体太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板101上に、表面が光に対して高い反射率を有する金属層102、凹凸状の透明層103、半導体層104、透明な電極層108をその順序で形成する半導体太陽電池の製造方法において、前記透明層103を形成する際に、酸化亜鉛層を堆積した後に、該酸化亜鉛層の表面が少なくとも2価カルボン酸を含む溶液に浸される工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、表面が光に対して高い反射率を有する金属層、凹凸状の透明層、半導体層、透明な電極層をその順序で形成する半導体太陽電池の製造方法において、前記透明層を形成する際に、酸化亜鉛層を堆積した後に、該酸化亜鉛層の表面が少なくとも2価カルボン酸を含む溶液に浸される工程を含むことを特徴とする半導体太陽電池の製造方法。