3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997074366
Publication number (International publication number)：1997219538
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【目的】発光強度の向上及び発光色の青色化の向上【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びシリコンドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N のn層(発光層)5、膜厚約1.0μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層6が形成されている。p層6と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成され、それらは、溝9により電気的に絶縁分離されている。層4、5、6のAl、Ga、In、の成分比は各層の格子定数が層3の格子定数に一致するように選択されている。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム(GaN) から成るn伝導型を示すn層と、前記n層に直接接合した窒化インジウムガリウム(Ga<SB>X1</SB>In<SB>1-X1</SB>N; 0<X1<1)から成る発光層と、前記発光層に直接接合した窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>X2</SB>Ga<SB>1-X2</SB>N;O<X2<1)から成るp層と、そのp層上に形成されたp型GaN から成るコンタクト層と、そのコンタクト層上に形成されたニッケル(Ni)から成る電極とを有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118227 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-242985
特開平4-010665

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