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J-GLOBAL ID：200903030675353621

半導体装置

Inventor： 伊藤 達志 ,  山中 一人 ,  北村 富士夫 ,  池村 和弘 ,  中尾 稔 ,  木村 英人 ,  多喜 秀彰
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997287087
Publication number (International publication number)：1998116941
Application date： Jun. 19, 1990
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】耐熱衝撃信頼性および耐半田クラック特性の双方に加えて、耐湿信頼性等の特性にも優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を、下記の一般式(2)のフェノールアラルキル樹脂を含む硬化剤とともに用いてなる下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置である。【化1】【化2】(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

Claim (excerpt)：

下記の一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を、下記の一般式(2)のフェノールアラルキル樹脂を含む硬化剤とともに用いてなる下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。【化1】【化2】(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

IPC (6)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/40

FI (5)：

H01L 23/30 R ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 Z ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-251419
  
• 特開昭49-077943