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J-GLOBAL ID：200903030679184107

ドライエッチング方法

Inventor： 柳田 敏治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309102
Publication number (International publication number)：1994163476
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜3に微細なコンタクト・ホール5を開口する際のドライエッチングにおいて、マイクロローディング効果を防止する。【構成】 カルボニル基を有する炭素数2以上のフルオロカーボン系化合物をエッチング・ガスとして用いる。この化合物は、(a)SiO2 のエッチング種であるF* ,CFx + を放出し、(b)気相中に生成する炭素系ポリマーに>C=O基やC-O結合を導入してその膜質を強化し、(c)還元性のCO* を供給してエッチングを高速化し、(d)O* の供給により過剰な炭素系ポリマーの堆積を抑制する、という4大効果を有し、基本的に単独組成で1段階エッチングにより高速・高選択加工を可能とする。上記化合物の具体例としては、CF3 COCF3 (ヘキサフルオロアセトン)、CF3 COF(フッ化トリフルオロアセチル)等がある。

Claim (excerpt)：

分子内にカルボニル基とフッ素原子とを有する炭素数2以上のフルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00