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J-GLOBAL ID：200903030687477903

半導体レーザの製造方法

Inventor： 竹内 辰也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243858
Publication number (International publication number)：1994097569
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 埋込み型メサストライプの形成方法に関し,異方性イオンエッチングで形成したメサをMOCVD法で平坦に埋込むことを目的とする。【構成】 半導体基板1上にストライプ状メサ10を形成するメサエッチング工程と,メサ10上のマスク6を利用してその両側を選択的に埋込む埋込み層11を基板1上に堆積する工程とを有する半導体レーザの製造方法において,埋込み層11の堆積に先立って予めメサ10の両側の該基板1上に該メサ10に沿う溝9を形成することを特徴として構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上にストライプ状メサ(10)を形成するメサエッチング工程と,該メサ(10)上のマスク(6)を利用してその両側を選択的に埋込む埋込み層(11)を該基板(1)上に堆積する工程とを有する半導体レーザの製造方法において,該埋込み層(11)の堆積に先立って予め該メサ(10)の両側の該基板(1)上に該メサ(10)に沿う溝(9)を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。