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J-GLOBAL ID：200903030702899674
露光方法および装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992168214
Publication number (International publication number)：1993197158
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 原画を交換しながら画面合成による大面積画面の露光を行うに際し、個々の原画のアライメントマークが位置誤差を含んでいても原画毎の誤差に基づく画面合成時の位置ずれを実際の露光時に極力小さい量に減じ、各原画を露光により隣接合成して得られる合成画面の画面継ぎの精度を向上させる。【構成】 液晶素子等の比較的大面積の素子をリソグラフィ手法によって製造する際に、複数の原画を用い、各原画による露光パターンを個々の区画領域として各区画領域の露光毎に基板の位置を相対的に変えながら複数の区画領域を隣接合成した比較的大きな面積の合成露光パターンを基板上に露光する。各原画による区画領域をアライメント位置に露光するに際し、各原画について区画領域の露光位置ずれ量を予め求めておき、各原画のアライメント位置に対して、前記露光位置ずれ量を実質的に相殺するべきオフセット補正を与えた位置決めを行なう。
Claim (excerpt)：
同一または異なるパターンをもつ複数の原画を用い、各原画による露光パターンを個々の区画領域として各区画領域の露光毎に原画に対する基板の位置を相対的に変えながら複数の区画領域を隣接合成した合成領域からなる比較的大きな面積の合成露光パターンを基板上に露光する方法であって、各原画による区画領域を露光装置の基準位置に対するアライメント位置に露光するに際して、各原画について区画領域の露光位置ずれ量を予め求めておき、各原画のアライメント位置に対して、前記露光位置ずれ量を実質的に相殺するための位置ずれ補正値を与えた位置決めを行なうことを特徴とする露光方法。
IPC (3)：
G03F 7/20
, G03F 9/00
, H01L 21/027
H01L 21/30 311 M
, H01L 21/30 311 L
Cited by applicant (5)
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特開昭63-175859
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特開昭62-115165
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特開昭60-018738
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特開昭56-055041
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特開平2-174110
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Cited by examiner (6)
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