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J-GLOBAL ID：200903030725328763

半導体の加工方法

Inventor： 榎木 孝知 ,  李 元成 ,  山幡 章司
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小林 将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203628
Publication number (International publication number)：1993029278
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 GaAsのAlGaAsに対する選択エッチング性を保ち、かつ半導体表面及び反応室汚染を低減する。【構成】 Cl2 ,Ar及びNF3 をECR型反応性イオンエッチング装置のガスポート11,12,13からそれぞれプラズマ室1に導入し、プラズマ速度を調整し、NF3 によりAlGaAsのエッチングを抑制して、GaAsをAlGaAsに対し選択エッチングを行うことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

Ar,Cl2 及びNF3 またはSF6またはO2 の混合ガスを電子のサイクロトロン運動により励起することにより得られるプラズマを用い、AlGaAsに対してGaAsを選択的にエッチングすることを特徴とする半導体の加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/18