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J-GLOBAL ID：200903030728369576

窒化ガリウム系化合物半導体のドーピング方法および半導体素子の製造方法

Inventor： 畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 辰巳 忠宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998041193
Publication number (International publication number)：1999224859
Application date： Feb. 05, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 一度に大面積かつ複数の所望の部分へのドーピングを可能にする、窒化ガリウム系化合物半導体のドーピング方法、および、一の基板を用いて窒化ガリウム系化合物半導体を複数個製造する場合に製造工程を簡略化することができる、半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイアからなる基板10上に、アンドープのAlGaNバッファ層12、アンドープのGaNからなる窒化ガリウム系化合物半導体層14、および干渉層16を積層する。その後、干渉層16上の一部にMg薄膜18を形成し、基板10を一定時間熱処理することによって、窒化ガリウム系化合物半導体層14のうち、Mg薄膜18が形成された部分に対応する部分にのみMgをドーピングし、p型領域20を形成する。また、この方法を用いることによって、一度に大面積かつ所望の位置にMgをドーピングすることができるため、窒化ガリウム系化合物半導体を含む半導体素子の製造工程を簡略化することができる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体にp型ドーパントをドーピングする窒化ガリウム系化合物半導体のドーピング方法であって、前記窒化ガリウム系化合物半導体上に干渉層を介して前記p型ドーパントを含む薄膜を形成した後に、熱処理を施すことにより前記窒化ガリウム系化合物半導体中に前記p型ドーパントをドーピングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドーピング方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-002119
  
• 特開昭62-002530
  
• 特開昭61-194828