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J-GLOBAL ID：200903030731093883

半導体装置

Inventor： 近藤 市治 ,  則武 千景
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253949
Publication number (International publication number)：1996124925
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】フリップチップのバンプ電極部やLSI配線部においてCu膜とバリアメタルとの密着性に優れた半導体装置を提供することにある。【構成】シリコン基板1には機能素子としてのトランジスタが形成され、トランジスタと外部基板11とのコンタクトをとるためのバンプ電極8が設けられている。シリコン基板1の表面には金属膜3が形成され、金属膜3の上に絶縁膜4が形成され、コンタクトホール4aにより金属膜3の一部が露出している。コンタクトホール4a内での金属膜3の上にはバリアメタル5が形成され、バリアメタル5上にはチタンよりなる接着層6が形成され、その上にバンプ成長用Cu膜7が形成されている。バンプ成長用Cu膜7の上にCuよりなるバンプ電極8が形成されている。

Claim (excerpt)：

電極材料または配線材料であるCu膜と、バリアメタルとの間に、チタンよりなる接着層を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 B