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J-GLOBAL ID：200903030738010444

MIS型トランジスタ及びその作製方法

Inventor： 早川 康一 ,  池田 直史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017757
Publication number (International publication number)：1995211902
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】パンチスルー特性とサブスレッショルド特性の両方を向上させることができ、しかも、放熱性に優れ、チャネル内マジョリティーキャリアが蓄積され難いMIS型トランジスタ及びその作製方法を提供する。【構成】半導体基板10の表面に形成されたMIS型トランジスタは、チャネル領域30の下方にのみ絶縁層11又は半絶縁層が形成されている。半導体基板表面にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が形成され、チャネル領域の上にはゲート電極領域が形成されたMIS型トランジスタの作製方法は、チャネル領域形成予定領域の下方にのみSIMOX法によって絶縁層を形成する工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成されたMIS型トランジスタであって、チャネル領域の下方にのみ絶縁層又は半絶縁層が形成されていることを特徴とするMIS型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 A