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J-GLOBAL ID：200903030753126831

アミノ基導入法及びアミノ酸の合成方法

Inventor： 畑田 清隆 ,  生島 豊 ,  佐藤 修 ,  川波 肇 ,  金久保 光央 ,  鳥居 一雄
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 須藤 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001309752
Publication number (International publication number)：2002212153
Application date： Oct. 05, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高温高圧水下でのアミノ基導入法、アミノ酸の合成方法及びアミノ酸の製造方法を提供する。【解決手段】 高温高圧水条件下で有機酸とアンモニアを反応させることにより有機酸にアミノ基を導入することを特徴とするアミノ基導入法、高温高圧水条件下で有機酸とアンモニアを反応させ、有機酸にアミノ基を導入してアミノ酸を合成することを特徴とするアミノ酸の合成方法、高温高圧水条件下で有機酸とアンモニアを反応させ、有機酸にアミノ基を導入してアミノ酸を合成し、次いでイオン交換樹脂で分離精製することを特徴とするアミノ酸の製造方法。

Claim (excerpt)：

高温高圧水条件下で有機酸とアンモニアあるいはアンモニウム塩化合物を反応させることにより有機酸にアミノ基を導入することを特徴とするアミノ基導入法。

IPC (4)：

C07C227/08 ,  C07C227/40 ,  C07C229/08 ,  C07C229/24

FI (4)：

C07C227/08 ,  C07C227/40 ,  C07C229/08 ,  C07C229/24

F-Term (12)：

4H006AA02 ,  4H006AC52 ,  4H006AD17 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BE14 ,  4H006BE90 ,  4H006BS10 ,  4H006BU32 ,  4H006NB10 ,  4H006NB11 ,  4H006NB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭55-015414
  
• セリン又はその誘導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162156   Applicant：花王株式会社
• グリシンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085278   Applicant：花王株式会社
• セリン又はその誘導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-146855   Applicant：花王株式会社