窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998146431
Publication number (International publication number)：1999340508
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板となる結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と、結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供することにある。【解決手段】異種基板1上に成長させた第1の窒化物半導体2上に形成された第1の保護膜3下部に順メサ形状の凸部を形成し、この凸部を有する第1の窒化物半導体2上全面に第2の保護膜4を形成し凸部側面の第2の保護膜4を除去することで第1の保護膜3を有する凸部上部及び凸部底部に第2の保護膜を形成させ第1の窒化物半導体2の縦方向の成長面を良好に覆い、その後、第2の窒化物半導体5を凸部側面の露出している第1の窒化物半導体2面から成長させる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記第1の窒化物半導体の表面に部分的に第1の保護膜を形成する第2の工程と、第2の工程後、前記第1の保護膜の形成されていない部分の第1の窒化物半導体をエッチングにより除去し保護膜下部に順メサ形状の凸部を形成する第3の工程と、第3の工程後、第1の窒化物半導体の上から全面に第2の保護膜を形成し、その後、エッチングにより、第1の窒化物半導体の凸部側面に形成された第2の保護膜を除去することにより、第1の窒化物半導体の平面部のみに第2の保護膜を形成する第4の工程と、第4の工程後、前記第1の窒化物半導体の側面から第2の窒化物半導体を成長させる第5の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-275826 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-133182
特開平4-084418

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