Pat

J-GLOBAL ID：200903030784101500

スパッタリング方法及び装置

Inventor： 木村 悌一 ,  西原 宗和
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996311720
Publication number (International publication number)：1998152772
Application date： Nov. 22, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大面積の角形基板上にターゲットの寿命の初期から末期まで、高速かつ均一性よく薄膜を形成することができるスパッタリング方法及びその装置を提供する。【解決手段】 独立に電力を印加することのできる複数の電極を備え、複数の電極のうち端部側の電極と端部側以外の電極とに印加する電力又は電力印加時間を相対的に異ならせて、異ならせる度合いをターゲットの消耗に応じて徐々に変更していくことで、基板上の膜厚の均一性の経時変化を抑える。

Claim (excerpt)：

ガス供給及び排気機能を有する真空室(12)内に、基板支持部(4)により基板(5)を保持し、上記基板に対向した平面内に互いに電気的に絶縁された3つ以上の電極板(1a,1b,1c)上にターゲット(2a,2b,2c)を配置し、上記基板を上記ターゲットに対して静止した状態で成膜するスパッタリング方法において上記電極のうち端部側に配置された電極(1a,1c)の全部もしくは少なくとも一つの電極と上記端部側の電極以外の電極(1b)との間で、スパッタリング中に、上記電極に印加する電力又は電力印加時間を異ならせるように制御するようにしたことを特徴とするスパッタリング方法。