Pat

J-GLOBAL ID：200903030795458141

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 来栖 恭子 ,  足立 克己
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994060824
Publication number (International publication number)：1995273258
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気導体に熱サイクルを受ける半導体チップを半田付するための半田層のヒートサイクル寿命を長くし、装置の信頼性の向上を図る。【構成】 リード線35、タブ本体32とシリコンチップ17との各半田接合部に所定の突出高さを有する突出部38、34を設けて、半田層の厚さを 25〔μm〕以上にする。また、突出高さ 25〔μm〕以上の突出部38を設けたリード線35を間に半田材を挟んでシリコンチップ17に押圧しながら半田材を溶融させて、半田層の厚さを 25〔μm〕以上にする。半田層の厚みを 25〔μm〕以上にして、半田層のヒートサイクルによる剪断応力歪を低く抑え、半田クラックの発生を防止し、信頼性の優れた半導体装置の製造方法を提供できる。

Claim (excerpt)：

平板状電極を有する半導体チップと、この平板状電極と対向する電気導体対向部を有する電気導体と、上記平板状電極と上記電気導体対向部との間に設けられた半田層とを備えた半導体装置において、上記半田層の厚さを 25〔μm〕以上としたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-012452   Applicant：サンケン電気株式会社