Pat

J-GLOBAL ID：200903030796645816

高純度銅単結晶及びその製造方法並びにその製造装置

Inventor： 田山 喜志雄 ,  西野 勇 ,  三浦 博
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181360
Publication number (International publication number)：1998007491
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jan. 13, 1998
Summary：

【要約】【目的】 従来の技術では残留が避けられなかった酸素等のガス成分を低減できる新規な精製手段を開発することにより、純度99.9999wt%以上の高純度銅からガス成分が少なく、かつ3インチ以上の大口径単結晶を製造する方法および装置を提供すること。【構成】 電気炉1内に配置された石英外筒3内に原料るつぼ5、単結晶鋳型6を脱着可能に連接し、外筒内を真空排気装置2により真空排気し、各ヒーター10、11、12を所定速度で加温し、るつぼ内の高純度銅を溶解する。溶解した銅からガス成分は上方に抜け、溶解した銅はるつぼ底部の溶解滴下孔4を介して下方の単結晶鋳型に滴下、充填する。次いで各ヒーターを制御するとともに鋳型の下に設けた断熱トラップ8、冷却水9循環の水冷フランジ7の働きで融体を順次凝固させ高純度銅単結晶を得る。

Claim (excerpt)：

酸素が0.05ppm以下、水素が0.2ppm以下、窒素が0.5ppm以下、炭素が0.01ppm以下である純度99.9999wt%以上である高純度銅単結晶。

IPC (4)：

C30B 29/02 ,  C22B 15/14 ,  C22C 9/00 ,  C30B 11/00

FI (4)：

C30B 29/02 ,  C22B 15/14 ,  C22C 9/00 ,  C30B 11/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-185990
  
• 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268192   Applicant：同和鉱業株式会社