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J-GLOBAL ID：200903030807481470

光電変換半導体装置及びその製造方法

Inventor： 佐藤 恵二 ,  斉藤 豊 ,  赤嶺 忠男 ,  山中 順子
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007097
Publication number (International publication number)：1995240534
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低ノイズ、高感度の光電変換半導体装置を実現する。【構成】 シリコンのN-半導体基板1の表面に0、1μm以下の深さでピーク濃度1×1020atoms/cm3 のP+型不純物領域2を形成したPINフォトダイオードを製作し100nmの光で量子効率50%以上を得た。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板に第2導電型不純物領域を有し、第2導電型不純物領域は深さ0.1μm以下で、ピーク濃度1×1019atms/cm3 上であることを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B