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J-GLOBAL ID：200903030810155169

シリコンウエーハ内部の不純物分析方法

Inventor： 太田 豊 ,  西條 廣文 ,  小杉 明
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  直江津電子工業株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995264743
Publication number (International publication number)：1997082770
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエーハ内部の不純物を簡便、高精度、かつ高感度に分析することができる方法を提供する。【解決手段】 実施例1ではシリコンウエーハ1の表面に、SiO2 粉を用いるサンドブラスト処理により歪層4を形成し、当該シリコンウエーハを乾燥酸素ガス雰囲気中で熱酸化処理することにより、シリコンウエーハ内部の不純物を容易に移動させて歪領域に捕獲した後、生成した熱酸化膜またはその直下の当該歪領域を含む表面層を、例えばフッ酸により溶解して該溶解液7を回収し、該回収液について分析を行った。比較例1では、サンドブラスト処理を省略した以外は実施例1と同一の処理を行い、所定の溶解液について分析を行った。比較例2では熱酸化膜形成に代えて、熱をかけずに自然酸化膜を形成した以外は実施例1と同一の処理を行い、所定の溶解液について分析を行った。比較例1,2ともに、Ni,Cuが検出されなかったのに対して、実施例1ではNi含有量が100×1010 atoms/cm2、Cu含有量が1×1010 atoms/cm2と分析された。

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハの片側の主面に機械的ダメージを与えて歪を導入した後、この歪を導入した側のウエーハ表面層を熱酸化膜に変え、該熱酸化膜、または該熱酸化膜およびその直下のシリコン表面層を薬液により溶解して該溶解液を回収し、該回収液について分析を行うことを特徴とするシリコンウエーハ内部の不純物分析方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  C23F 1/24 ,  G01N 33/00

FI (3)：

H01L 21/66 L ,  C23F 1/24 ,  G01N 33/00 A