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J-GLOBAL ID：200903030829697337

マルチチップ型半導体装置

Inventor： 森 善秀 ,  滝口 岩夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000221
Publication number (International publication number)：1993183101
Application date： Jan. 06, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構造で、より少ない製造工程で製造することができるマルチチップ型半導体装置を提供する。【構成】 パワートランジスタチップ22aを搭載した外部リード21の一部21aが半導体装置20から露出されている。制御用ICチップ22bの底面にバンプ23が形成され、そのバンプ23を外部リード21に直接接続することによって、制御用ICチップ22bと外部リード21とが電気的に接続される。【効果】 パワートランジスタチップで発生する熱が外部リードを介して外界に放熱するようにしているので、半導体装置の構造、特に放熱構造を簡易にすることができる。また、バンプを介して制御用ICチップと外部リードとを電気的に接続しているので、制御用ICチップと外部リードとを接続するためのワイヤボンド工程が不要となり、その結果、より少ない製造工程でマルチチップ型半導体装置を製造することができる。

Claim (excerpt)：

複数の外部リードと、半導体パワーチップと、半導体パワーチップを制御する制御用半導体チップとが同一パッケージ内に内蔵されるとともに、前記半導体パワーチップ及び前記制御用半導体チップが前記外部リードに電気的に接続されたマルチチップ型半導体装置において、前記半導体パワーチップが前記複数の外部リードのうちの1つの外部リード上に搭載され、しかも前記半導体パワーチップを搭載した外部リードの一部が前記パッケージから露出されるとともに、前記制御用半導体チップの一方面にバンプが形成され、そのバンプが前記外部リードに直接接続されたことを特徴とするマルチチップ型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18