Pat

J-GLOBAL ID：200903030833167342

半導体構造ダイオード光学スイッチング・アレイ

Inventor： トーマス・エル・パオリ
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 小堀 益 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309267
Publication number (International publication number)：1994222408
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 モノリシック半導体構造ダイオード光学スイッチング・アレイにおいて、光学利得を有する光学変調素子を提供する。【構成】 光学的に増幅する導波路によって形成される、阻止光学スイッチ・アレイを利用して、1つ以上の入力ビームを1つ以上の選択光学チャネルに送り込み、あるいは、これを阻止する。受動光導波路72によって、光学入力が増幅光導波路74に結合される。受動光導波路72によってモノリシックに形成される光学スプリッタ66を利用して、光信号が、単一ファイバ76から増幅光導波路74のアレイに経路指定される。

Claim (excerpt)：

複数の半導体ヘテロ構造層が基板上に配置され、前記層の少なくとも1つが、光の増幅及び伝搬のための活性層である、モノリシック半導体構造と、電気的に結合されて、前記活性層に電気順バイアスをかける手段と、前記モノリシック半導体構造の両端において、前記複数の半導体ヘテロ構造層及び前記活性層に対して垂直に配置された、入射光波を受ける入力小面、及び、伝送される光波を伝搬する出力小面と、活性層に配置され、それぞれ、所定の幅を有し、前記入力小面に末端がくる第1の端部と、前記出力小面に末端がくる第2の端部を備え、前記電気順バイアスに応答して、所定の波長で光波を発生し、増幅するための複数のほぼ平行な増幅導波路から構成される、半導体光学アレイ。

IPC (5)：

G02F 1/35 501 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/30 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-230087
  
• 特開平2-039583
  
• 特開昭61-156231