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J-GLOBAL ID:200903030833667280
負イオンの発生方法
Inventor:
,
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松田 大
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000079925
Publication number (International publication number):2001259472
Application date: Mar. 22, 2000
Publication date: Sep. 25, 2001
Summary:
【要約】【課題】 光電子放出材からの負イオンの発生を光電子放出材の全面から行うことができる負イオンの発生方法を提供する。【解決手段】 気体通路の全面に配設した光電子放出材3に紫外線2を照射することによる負イオンの発生方法において、前記紫外線の照射を光電子放出材の全面が一定濃度以上となるように行うものであり、紫外線の照射は、複数の紫外線ランプ2を用い、該紫外線ランプとしては殺菌灯を用いるのがよい。
Claim (excerpt):
気体通路の前面に配設した光電子放出材に紫外線を照射することによる負イオンの発生方法において、前記紫外線の照射を光電子放出材の全面が一定濃度以上となるように行うことを特徴とする負イオンの発生方法。
IPC (4):
B03C 3/38
, A61L 9/22
, B01J 19/12
, H01T 23/00
FI (4):
B03C 3/38
, A61L 9/22
, B01J 19/12 C
, H01T 23/00
F-Term (24):
4C080AA09
, 4C080AA10
, 4C080BB05
, 4C080CC02
, 4C080CC08
, 4C080QQ01
, 4C080QQ11
, 4D054AA11
, 4D054BA17
, 4D054BC21
, 4D054EA30
, 4G075AA03
, 4G075AA27
, 4G075BA08
, 4G075BB04
, 4G075CA14
, 4G075CA33
, 4G075CA51
, 4G075DA02
, 4G075EB31
, 4G075EC21
, 4G075FB01
, 4G075FB02
, 4G075FC20
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