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J-GLOBAL ID：200903030834300356

ドライエッチング装置

Inventor： 井川 英治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992115589
Publication number (International publication number)：1993315289
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチングに必要なイオン密度を低下させることなく中性活性粒子の密度のみを減少させ、ドライエッチングに於ける加工寸法精度の向上を図る。【構成】ドライエッチング装置の放電室に、被エッチング材料と同種の材料を主たる構成材料とする円筒状の正電位印加用電極19を試料台15の外周上に設ける。この電極にローパスフィルター110を介して正の直流電位を印加することによって、正イオンの入射が抑制され、中性活性粒子のみを消費するので、異方的エッチング形状が得られる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波放電方式のドライエッチング装置のプラズマ発生領域のプラズマに曝される空間に、被エッチング材料と同種の材料が主たる構成成分である材料からなる電気的に絶縁された円筒状電極を配置し、この電極にローパスフィルターを介して正の直流電位を印加し、マイクロ波放電方式によりドライエッチングする事を特徴とするドライエッチング装置。