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J-GLOBAL ID：200903030840544585
半導体分布帰還型レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181209
Publication number (International publication number)：1993029705
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 利得結合により分布帰還を用いた半導体分布帰還型レーザ装置において、屈折率結合成分を容易に除去できる構造を提供する。【構成】 屈折率の異なる層5、7の組み合わせにより、光吸収層6の膜厚によって生じる屈折率の周期的変化を打ち消す。
Claim (excerpt)：
誘導放射光を発生する活性層を備え、この活性層の近傍にはこの活性層が発生した誘導放射光を吸収する材料により形成された光吸収層を備え、この光吸収層には、前記活性層が発生した誘導放射光に光分布帰還を施す周期の膜厚変化が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、屈折率の異なる層の組み合わせにより前記光吸収層の膜厚の変化によって生じる屈折率の周期的変化を打ち消す層構造を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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