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J-GLOBAL ID：200903030863984205

SiCの熱酸化膜の改善方法

Inventor： 坂本 光 ,  西川 猛 ,  寺田 敏行 ,  星野 泰三
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996008557
Publication number (International publication number)：1997199497
Application date： Jan. 22, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SiC単結晶上に形成された熱酸化膜を用いたMOSキャパシターのC-V特性のヒステリシス、フラットバンドシフトを解消するための熱酸化膜特性を向上させる方法を提供する。【解決手段】 SiCを熱酸化した後、Ar、He、N2 などの不活性ガス雰囲気およびH2 雰囲気中の熱処理を行うことにより同酸化膜からヒステリシス、フラットバンドシフトを解消する。ヒステリシス解消に当たっては、H2 雰囲気中の熱処理により行う。また、フラットバンドシフトを解消に当たっては、不活性ガスによる熱処理で発生するアキュミュレーション方向へのフラットバンドシフトとH2 処理により発生するインバージョン方向へのフラットバンドシフトを相殺させることにより実現する。不活性ガスおよびH2 雰囲気中の熱処理については、その順序はどちらが先でも同等の効果をもたらす。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶基板の熱酸化膜の改善方法において、酸化する工程に続き、水素によりアニールする工程と、不活性ガスによりアニールする工程を有することを特徴とするヒステリシスおよびフラットバンドシフトを低減するSiCの熱酸化膜の改善法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-142568
  
• 特開昭48-045176