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J-GLOBAL ID：200903030868625874

半導体装置

Inventor： 吉崎 敦浩 ,  山村 博久 ,  増野 敬一 ,  清水 泉 ,  保川 彰夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000224864
Publication number (International publication number)：2002043480
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】小型で放熱特性の向上した半導体装置を提供することにある。【解決手段】複合材10は、熱伝導率が高い材料からなる構造材14の外周を、線膨張係数が小さい材料からなる枠体12で囲むようにして構成されている。複合材10の上には、パワー回路を構成するシリコンチップ20が実装され、また、複合材10には、放熱体16が取り付けられる。

Claim (excerpt)：

パワー回路を構成する半導体素子と、この半導体素子を実装する基板と、半導体素子の発熱を冷却する放熱体とを有する半導体装置において、上記基板は、熱伝導率が高い材料の外周を、線膨張係数が小さい材料からなる枠体で囲むようにして構成された複合材であることを特徴とする半導体装置。

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BC22 ,  5F036BC33