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J-GLOBAL ID:200903030872963881

基板メッキ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001017851
Publication number (International publication number):2002220700
Application date: Jan. 26, 2001
Publication date: Aug. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】メッキ槽の全体にわたってメッキ液の円滑な流れを形成することにより、陽電極に発生する酸素ガスの残留を均一的に除去する。【解決手段】メッキ槽17のメッキ液Lを供給してメッキ処理を施す基板メッキ装置であり、メッキ槽17のメッキ液Lの流入口20に拡散部材30を備え、この拡散部材30を介してメッキ液Lを供給する。拡散部材30はその頭部32に放射状に孔33が形成され、メッキ槽17内に配置されるアノード電極21よりメッキ液Lの流入する上流側に配置される。よって、拡散部材30によりメッキ液Lは拡散され、アノード電極21の全面に向かって流入する。そのメッキ液Lによりアノード電極21に付着する酸素ガスは除去される。
Claim (excerpt):
メッキ液を基板の処理面に対して供給することにより電解メッキ処理を施す基板メッキ装置において、陰電極が電気的に接続された基板と、一方に前記基板の処理面にメッキ液を供給する開口と、他方にメッキ液の流入口とを有する処理槽と、前記処理槽内に配置される陽電極と、前記陽電極よりも前記処理槽内でメッキ液の流入口側に配置される拡散部材と、を具備することを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (4):
C25D 21/04 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 21/10 301
FI (4):
C25D 21/04 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 J ,  C25D 21/10 301
F-Term (6):
4K024AA09 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CB16 ,  4K024GA16

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